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D371S45TXPSA1

D371S45TXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer D371S45TXPSA1
PNEDA Teilenummer D371S45TXPSA1
Beschreibung DIODE GEN PURP 4.5KV 510A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.302
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

D371S45TXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerD371S45TXPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
D371S45TXPSA1, D371S45TXPSA1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 46,24 KB)
PDFD371S45TXPSA1 Datenblatt Cover
D371S45TXPSA1 Datenblatt Seite 2 D371S45TXPSA1 Datenblatt Seite 3 D371S45TXPSA1 Datenblatt Seite 4 D371S45TXPSA1 Datenblatt Seite 5

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D371S45TXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)4500V
Current - Average Rectified (Io)510A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3.9V @ 1200A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100mA @ 4500V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AB, B-PUK
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

ACDBAT340-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

180pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2010 (5025 Metric)

Lieferantengerätepaket

2010

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

160CMQ045

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

160A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

860mV @ 160A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

2600pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Screw Mount

Paket / Fall

TO-249AA

Lieferantengerätepaket

TO-249AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

ES3J M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JAN1N5623

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/429

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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