CYDD18S36V18-167BBXI
Nur als Referenz
| Teilenummer | CYDD18S36V18-167BBXI |
| PNEDA Teilenummer | CYDD18S36V18-167BBXI |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.172 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CYDD18S36V18-167BBXI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CYDD18S36V18-167BBXI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CYDD18S36V18-167BBXI, CYDD18S36V18-167BBXI Datenblatt
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CYDD18S36V18-167BBXI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Speichergröße | 18Mb (256K x 36 x 2) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 600ps |
| Spannung - Versorgung | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 256-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 256-FBGA (17x17) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
