CYDD18S36V18-200BBXC Datenblatt
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 18Mb (256K x 36 x 2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 500ps Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 18Mb (256K x 36 x 2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 600ps Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 18Mb (256K x 36 x 2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 600ps Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 9Mb (128K x 36 x 2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 500ps Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 9Mb (128K x 36 x 2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 600ps Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 9Mb (128K x 36 x 2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 600ps Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17) |
