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CY7C199CN-12VXIT

CY7C199CN-12VXIT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C199CN-12VXIT
PNEDA Teilenummer CY7C199CN-12VXIT
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.330
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C199CN-12VXIT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C199CN-12VXIT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C199CN-12VXIT, CY7C199CN-12VXIT Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 583,7 KB)
PDFCY7C199CN-12VXAT Datenblatt Cover
CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 2 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 3 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 4 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 5 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 6 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 7 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 8 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 9 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 10 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 11

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CY7C199CN-12VXIT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOJ

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (32M x 4)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-VDFPN (6x5) (MLP8)

MT29F2T08CQHBBG2-3R:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS42S32400F-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

86-TSOP II

IDT71V3577SA85BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

SST39LF020-55-4C-WHE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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