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CY7C1313CV18-200BZC

CY7C1313CV18-200BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1313CV18-200BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1313CV18-200BZC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1313CV18-200BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1313CV18-200BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1313CV18-200BZC, CY7C1313CV18-200BZC Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 714,69 KB)
PDFCY7C1315CV18-250BZI Datenblatt Cover
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CY7C1313CV18-200BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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-

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-

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-

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-

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-

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Taktfrequenz

-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

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-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

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-

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-

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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