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CY7C1470V33-167BZXC

CY7C1470V33-167BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1470V33-167BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1470V33-167BZXC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.136
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1470V33-167BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1470V33-167BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1470V33-167BZXC, CY7C1470V33-167BZXC Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 904,13 KB)
PDFCY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Cover
CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 2 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 3 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 4 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 5 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 6 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 7 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 8 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 9 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 10 CY7C1470V33-167BZXI Datenblatt Seite 11

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CY7C1470V33-167BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.4ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-SOIC

S34ML01G200GHI000

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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