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CY7C1370D-200BGXC

CY7C1370D-200BGXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1370D-200BGXC
PNEDA Teilenummer CY7C1370D-200BGXC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.744
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1370D-200BGXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1370D-200BGXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1370D-200BGXC, CY7C1370D-200BGXC Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 1.130,13 KB)
PDFCY7C1372D-167BGC Datenblatt Cover
CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 2 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 3 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 4 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 5 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 6 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 7 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 8 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 9 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 10 CY7C1372D-167BGC Datenblatt Seite 11

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CY7C1370D-200BGXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall119-BGA
Lieferantengerätepaket119-PBGA (14x22)

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Hersteller

Microchip Technology

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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