CY7C1354C-200BGC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1354C-200BGC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1354C-200BGC |
| Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.852 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1354C-200BGC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1354C-200BGC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1354C-200BGC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.2ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 119-BGA |
| Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 144-TFBGA Lieferantengerätepaket 144-FCBGA (11x18.5) |
