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IS42S16100E-6BL

IS42S16100E-6BL

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S16100E-6BL
PNEDA Teilenummer IS42S16100E-6BL
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.784
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IS42S16100E-6BL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S16100E-6BL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S16100E-6BL, IS42S16100E-6BL Datenblatt (Total Pages: 83, Größe: 1.536,76 KB)
PDFIS45S16100E-7TLA1-TR Datenblatt Cover
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IS42S16100E-6BL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (6.4x10.1)

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Betriebstemperatur

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-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

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Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Toshiba Memory America, Inc.

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Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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