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CY7C11701KV18-400BZXC

CY7C11701KV18-400BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C11701KV18-400BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C11701KV18-400BZXC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C11701KV18-400BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C11701KV18-400BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C11701KV18-400BZXC, CY7C11701KV18-400BZXC Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 767,37 KB)
PDFCY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Cover
CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 2 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 3 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 4 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 5 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 6 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 7 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 8 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 9 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 10 CY7C11681KV18-450BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C11701KV18-400BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II+
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-EDIP

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-UDFN (2x3)

MT47H128M8CF-187E:H

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

350ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x10)

IS49NLC93200-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (32M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

144-TWBGA (11x18.5)

709269S12PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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