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CY7C1021CV33-10BAXI

CY7C1021CV33-10BAXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1021CV33-10BAXI
PNEDA Teilenummer CY7C1021CV33-10BAXI
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.950
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1021CV33-10BAXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1021CV33-10BAXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1021CV33-10BAXI, CY7C1021CV33-10BAXI Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 394,87 KB)
PDFCY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Cover
CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 2 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 3 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 4 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 5 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 6 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 7 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 8 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 9 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 10 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datenblatt Seite 11

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CY7C1021CV33-10BAXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-FBGA (7x7)

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

50MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

7µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT48LC4M16A2P-7E AIT:J TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S25FL032P0XNFV001M

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (6x8)

Hersteller

Intel

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH, SRAM

Speichergröße

32Mbit Flash, 8Mbit RAM

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

65ns

Zugriffszeit

65ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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