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RD38F1020W0YTQ0SB93

RD38F1020W0YTQ0SB93

Nur als Referenz

Teilenummer RD38F1020W0YTQ0SB93
PNEDA Teilenummer RD38F1020W0YTQ0SB93
Beschreibung IC FLASH RAM 32MIT PARAL 66SCSP
Hersteller Intel
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RD38F1020W0YTQ0SB93 Ressourcen

Marke Intel
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRD38F1020W0YTQ0SB93
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
RD38F1020W0YTQ0SB93, RD38F1020W0YTQ0SB93 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 434,82 KB)
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RD38F1020W0YTQ0SB93 Technische Daten

HerstellerIntel
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH, RAM
TechnologieFLASH, SRAM
Speichergröße32Mbit Flash, 8Mbit RAM
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite65ns
Zugriffszeit65ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall66-LFBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket66-SCSP (8x14)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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8-PDIP

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Hersteller

Macronix

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT46V128M4P-75:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (128M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

66-TSOP

CYDM064B08-55BVXI

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, MoBL

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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