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CY7C1021BNV33L-15VXC

CY7C1021BNV33L-15VXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1021BNV33L-15VXC
PNEDA Teilenummer CY7C1021BNV33L-15VXC
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1021BNV33L-15VXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1021BNV33L-15VXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1021BNV33L-15VXC, CY7C1021BNV33L-15VXC Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 534,14 KB)
PDFCY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Cover
CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 10

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CY7C1021BNV33L-15VXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

267MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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N25Q064A13ESE40E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (16M x 4)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO W

PC28F128J3F75F

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

75ns

Zugriffszeit

75ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-TBGA

Lieferantengerätepaket

64-EasyBGA (10x13)

24FC02-E/P

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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