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CY7C09199V-9AXC

CY7C09199V-9AXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C09199V-9AXC
PNEDA Teilenummer CY7C09199V-9AXC
Beschreibung IC SRAM 1.152M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C09199V-9AXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C09199V-9AXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C09199V-9AXC, CY7C09199V-9AXC Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 592,51 KB)
PDFCY7C09089V-12AXI Datenblatt Cover
CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 2 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 3 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 4 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 5 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 6 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 7 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 8 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 9 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 10 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 11

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CY7C09199V-9AXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße1.152Mb (128K x 9)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz67MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit9ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

S29GL01GS10DHSS40

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

64-FBGA (9x9)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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IS45S32400F-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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CY7C028V-15AXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

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