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CY62256NL-70SNXC

CY62256NL-70SNXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY62256NL-70SNXC
PNEDA Teilenummer CY62256NL-70SNXC
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 27 - Feb 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY62256NL-70SNXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62256NL-70SNXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62256NL-70SNXC, CY62256NL-70SNXC Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 574,34 KB)
PDFCY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Cover
CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 2 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 3 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 4 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 5 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 6 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 7 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 8 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 9 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 10 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 11

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CY62256NL-70SNXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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