CY62148GN-45SXIT
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| Teilenummer | CY62148GN-45SXIT |
| PNEDA Teilenummer | CY62148GN-45SXIT |
| Beschreibung | IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.850 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY62148GN-45SXIT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY62148GN-45SXIT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY62148GN-45SXIT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MoBL® |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
| Zugriffszeit | 45ns |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 32-SOIC |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 4Mb (512K x 8, 256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 80ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOP |
