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CY14E256L-SZ25XCT

CY14E256L-SZ25XCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY14E256L-SZ25XCT
PNEDA Teilenummer CY14E256L-SZ25XCT
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.526
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY14E256L-SZ25XCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY14E256L-SZ25XCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY14E256L-SZ25XCT, CY14E256L-SZ25XCT Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 871,26 KB)
PDFCY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Cover
CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 2 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 3 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 4 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 5 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 6 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 7 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 8 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 9 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 10 CY14E256L-SZ45XCT Datenblatt Seite 11

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CY14E256L-SZ25XCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket32-SOIC

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

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Betriebstemperatur

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