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CSD75208W1015

CSD75208W1015

Nur als Referenz

Teilenummer CSD75208W1015
PNEDA Teilenummer CSD75208W1015
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
Hersteller Texas Instruments
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CSD75208W1015 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCSD75208W1015
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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CSD75208W1015 Technische Daten

Hersteller
SerieNexFET™
FET-Typ2 P-Channel (Dual) Common Source
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 10V
Leistung - max750mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UFBGA, DSBGA
Lieferantengerätepaket6-DSBGA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XBGA, 4-FCBGA

Lieferantengerätepaket

EFCP1313-4CC-037

DMP2900UV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SI1967DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

490mOhm @ 910mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

DMN2041LSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.63A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Leistung - max

1.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

BUK7K29-100EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2436pF @ 25V

Leistung - max

68W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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