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BUK7K29-100EX

BUK7K29-100EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK7K29-100EX
PNEDA Teilenummer BUK7K29-100EX
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BUK7K29-100EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK7K29-100EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BUK7K29-100EX, BUK7K29-100EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 712,81 KB)
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BUK7K29-100EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.29.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2436pF @ 25V
Leistung - max68W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-1205, 8-LFPAK56
LieferantengerätepaketLFPAK56D

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 10V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.1A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V

Leistung - max

2.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

ALD111910PAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NTLUD4C26NTBG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

µCool™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

Leistung - max

2.63W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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