CSD17313Q2Q1
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| Teilenummer | CSD17313Q2Q1 |
| PNEDA Teilenummer | CSD17313Q2Q1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 5A 6SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD17313Q2Q1 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD17313Q2Q1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD17313Q2Q1 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | Automotive, AEC-Q100, NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WSON (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
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