CSD17312Q5
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| Teilenummer | CSD17312Q5 |
| PNEDA Teilenummer | CSD17312Q5 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 48.042 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD17312Q5 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD17312Q5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD17312Q5 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 35A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5240pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1695pF @ 13V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 41W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Dual Cool ™ 33 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
