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FDMC8588DC

FDMC8588DC

Nur als Referenz

Teilenummer FDMC8588DC
PNEDA Teilenummer FDMC8588DC
Beschreibung MOSFET N CH 25V 40A POWER33
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.362
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FDMC8588DC Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMC8588DC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDMC8588DC, FDMC8588DC Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 467,07 KB)
PDFFDMC8588DC Datenblatt Cover
FDMC8588DC Datenblatt Seite 2 FDMC8588DC Datenblatt Seite 3 FDMC8588DC Datenblatt Seite 4 FDMC8588DC Datenblatt Seite 5 FDMC8588DC Datenblatt Seite 6 FDMC8588DC Datenblatt Seite 7 FDMC8588DC Datenblatt Seite 8 FDMC8588DC Datenblatt Seite 9

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FDMC8588DC Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1695pF @ 13V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDual Cool ™ 33
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

FQI9N08LTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 4.65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STP15N80K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

NDP6060

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

TK40P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

47W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DP

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

AT24C16C-SSHM-T

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L78L05ABZ

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IC REG LINEAR 5V 100MA TO92-3

PAC1934T-I/JQ

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QUAD HIGH-SIDE CURRENT SENSOR

MT41J128M16JT-093:K

MT41J128M16JT-093:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

HMC7044LP10BE

HMC7044LP10BE

Analog Devices

IC JITTER ATTENUATOR 68LFCSP

ADE7754ARZRL

ADE7754ARZRL

Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

VLS252012HBX-2R2M-1

VLS252012HBX-2R2M-1

TDK

FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

CY37064P44-125JXC

CY37064P44-125JXC

Cypress Semiconductor

IC CPLD 64MC 10NS 44PLCC

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

EPSON

CRYSTAL 12.00 MHZ 10.0PF SMD

H5007

H5007

Pulse Electronics Network

MODULE SINGLE GIGABIT LAN 24SOIC

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

AD9515BCPZ

AD9515BCPZ

Analog Devices

IC CLK BUFFER 1:2 1.6GHZ 32LFCSP