CP210-2N4416-CT
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| Teilenummer | CP210-2N4416-CT |
| PNEDA Teilenummer | CP210-2N4416-CT |
| Beschreibung | JFET N-CH AMP CHIP FORM 1=400 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.166 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CP210-2N4416-CT Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CP210-2N4416-CT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
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CP210-2N4416-CT Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 20V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 6V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 12V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 35V Drain to Source Voltage (Vdss) 35V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 35V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 50 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket SMV |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7.3mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-72 Lieferantengerätepaket 3-SPA |
