CMPF4416A TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | CMPF4416A TR | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CMPF4416A-TR | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 35V 10MA SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Central Semiconductor Corp | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 30.532 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CMPF4416A TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CMPF4416A TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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CMPF4416A TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 35V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 2.5V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4.5pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 25 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 35V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
