CMLDM3757 TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | CMLDM3757 TR |
| PNEDA Teilenummer | CMLDM3757-TR |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 117.918 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 4 - Apr 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CMLDM3757 TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CMLDM3757 TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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CMLDM3757 TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 540mA, 430mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Leistung - max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket P-DSO-8 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V Leistung - max 380mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010B-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V Leistung - max 50W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PQFN (5x6) |
