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CM75TF-12H

CM75TF-12H

Nur als Referenz

Teilenummer CM75TF-12H
PNEDA Teilenummer CM75TF-12H
Beschreibung IGBT MOD 6PAC 600V 75A H SER
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CM75TF-12H Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCM75TF-12H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
CM75TF-12H, CM75TF-12H Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 67,43 KB)
PDFCM75TF-12H Datenblatt Cover
CM75TF-12H Datenblatt Seite 2 CM75TF-12H Datenblatt Seite 3 CM75TF-12H Datenblatt Seite 4

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CM75TF-12H Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
SerieIGBTMOD™
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Leistung - max310W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.5nF @ 10V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FZ1200R17HP4B2BOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

7800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

97nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GP100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT, Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

337A

Leistung - max

781W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.34V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

150µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

790W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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