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CJD200 TR13

CJD200 TR13

Nur als Referenz

Teilenummer CJD200 TR13
PNEDA Teilenummer CJD200-TR13
Beschreibung TRANS NPN 40V 5A DPAK
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 19.452
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CJD200 TR13 Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCJD200 TR13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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CJD200 TR13 Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.8V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce45 @ 2A, 1V
Leistung - max1.4W
Frequenz - Übergang65MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 5V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

JAN2N6298

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/540

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 80mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

Leistung - max

64W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

TO-66 (TO-213AA)

2N3416

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 2mA, 4.5V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

2N6049

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BC 817-25 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

170MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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