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PBSS305ND,115

PBSS305ND,115

Nur als Referenz

Teilenummer PBSS305ND,115
PNEDA Teilenummer PBSS305ND-115
Beschreibung TRANS NPN 100V 1A 6TSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 7.812
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PBSS305ND Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBSS305ND,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
PBSS305ND, PBSS305ND Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 273,54 KB)
PDFPBSS305ND Datenblatt Cover
PBSS305ND Datenblatt Seite 2 PBSS305ND Datenblatt Seite 3 PBSS305ND Datenblatt Seite 4 PBSS305ND Datenblatt Seite 5 PBSS305ND Datenblatt Seite 6 PBSS305ND Datenblatt Seite 7 PBSS305ND Datenblatt Seite 8 PBSS305ND Datenblatt Seite 9 PBSS305ND Datenblatt Seite 10 PBSS305ND Datenblatt Seite 11

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PBSS305ND Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)100V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic360mV @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce170 @ 500mA, 2V
Leistung - max1.1W
Frequenz - Übergang140MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS

2SB1215T-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

TP

2SD874-S-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

170 @ 500mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

ZTX415STZ

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Avalanche Mode

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 10mA, 10V

Leistung - max

680mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

2N6517G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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