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CG2H40120F

CG2H40120F

Nur als Referenz

Teilenummer CG2H40120F
PNEDA Teilenummer CG2H40120F
Beschreibung 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 6.948
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CG2H40120F Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCG2H40120F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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CG2H40120F Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
Serie-
TransistortypHEMT
Frequenz2.5GHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)28A
Rauschzahl-
Stromtest1A
Leistung - Leistung130W
Spannung - Nennspannung84V
Paket / Fall440223
Lieferantengerätepaket440223

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Hersteller

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

-

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

27dB

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2.1dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

870MHz

Gewinn

16.2dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

140mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360HF

Lieferantengerätepaket

NI-360HF

PTFA220041M-V4-R1K

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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