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CDBJFSC3650-G

CDBJFSC3650-G

Nur als Referenz

Teilenummer CDBJFSC3650-G
PNEDA Teilenummer CDBJFSC3650-G
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Hersteller Comchip Technology
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Auf Lager 17.148
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CDBJFSC3650-G Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCDBJFSC3650-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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CDBJFSC3650-G Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)650V
Current - Average Rectified (Io)3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 3A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F.190pF @ 0V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RA352-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 35A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

100pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

RA

Lieferantengerätepaket

RA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

AU3PKHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.4A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

42pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N7049UR-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

IDC75S120C5X7SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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