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CDBD2SC21200-G

CDBD2SC21200-G

Nur als Referenz

Teilenummer CDBD2SC21200-G
PNEDA Teilenummer CDBD2SC21200-G
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Hersteller Comchip Technology
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CDBD2SC21200-G Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCDBD2SC21200-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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CDBD2SC21200-G Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)6.2A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 2A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.136pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SDURF1020

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4935

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

JANTX1N4938UR-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/169

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

175V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 175V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA

Lieferantengerätepaket

DO-213AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

BAS16J/ZLX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, BAS16

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-90, SOD-323F

Lieferantengerätepaket

SC-90

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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