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CCS050M12CM2

CCS050M12CM2

Nur als Referenz

Teilenummer CCS050M12CM2
PNEDA Teilenummer CCS050M12CM2
Beschreibung MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 6 - Dez 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CCS050M12CM2 Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCCS050M12CM2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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CCS050M12CM2 Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieZ-FET™ Z-Rec™
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2.810nF @ 800V
Leistung - max337W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SISF00DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 15V

Leistung - max

69.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8SCD

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8SCD

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V

Leistung - max

272mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMC3400SDW-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

650mA, 450mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 15V

Leistung - max

310mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

FDY2000PZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V

Leistung - max

446mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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