Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN3012LEG-13

DMN3012LEG-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN3012LEG-13
PNEDA Teilenummer DMN3012LEG-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN3012LEG-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN3012LEG-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN3012LEG-13, DMN3012LEG-13 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 596,88 KB)
PDFDMN3012LEG-7 Datenblatt Cover
DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 2 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 3 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 4 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 5 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 6 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 7 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 8 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 9 DMN3012LEG-7 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN3012LEG-13 Datasheet
  • where to find DMN3012LEG-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN3012LEG-13
  • DMN3012LEG-13 PDF Datasheet
  • DMN3012LEG-13 Stock

  • DMN3012LEG-13 Pinout
  • Datasheet DMN3012LEG-13
  • DMN3012LEG-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN3012LEG-13 Price
  • DMN3012LEG-13 Distributor

DMN3012LEG-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CSD86360Q5D

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 12.5

Leistung - max

13W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerLDFN

Lieferantengerätepaket

8-LSON (5x6)

DMP1046UFDB-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

915pF @ 6V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

FDS9934C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 20V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

TPCL4203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

685pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFLGA

Lieferantengerätepaket

4-Chip LGA (1.59x1.59)

Kürzlich verkauft

PESD12VS1UB,115

PESD12VS1UB,115

Nexperia

TVS DIODE 12V 35V SOD523

LG Q971-KN-1

LG Q971-KN-1

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

MP4560DN-LF-Z

MP4560DN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

CDBHD1100L-G

CDBHD1100L-G

Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP

AD8032ARMZ

AD8032ARMZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8MSOP

7447709330

7447709330

Wurth Electronics

FIXED IND 33UH 4.2A 45 MOHM SMD

CDRH127NP-100MC

CDRH127NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 5.4A 21.6 MOHM

BC857B

BC857B

STMicroelectronics

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

A6B595KLWTR-T

A6B595KLWTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC PWR DRVR 8BIT ADDRESS 20SOIC

BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P