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CBR10F-J080

CBR10F-J080

Nur als Referenz

Teilenummer CBR10F-J080
PNEDA Teilenummer CBR10F-J080
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A CM
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 6.336
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CBR10F-J080 Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCBR10F-J080
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
CBR10F-J080, CBR10F-J080 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 179,79 KB)
PDFCBR10F-J100 Datenblatt Cover
CBR10F-J100 Datenblatt Seite 2 CBR10F-J100 Datenblatt Seite 3 CBR10F-J100 Datenblatt Seite 4

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CBR10F-J080 Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)800V
Current - Average Rectified (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 800V
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-Square, CM
LieferantengerätepaketCM

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, D-72

Lieferantengerätepaket

D-72

DBLS158G C1G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.2kV

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 1200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

DBLS

GBU8M-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBU4M-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.8kV

Current - Average Rectified (Io)

127A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.13V @ 50A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1800V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

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