C3M0280090J
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| Teilenummer | C3M0280090J |
| PNEDA Teilenummer | C3M0280090J |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 11A |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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C3M0280090J Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | C3M0280090J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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C3M0280090J Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | C3M™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 600V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-7 |
| Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 5.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 3.5V Vgs (Max) ±5.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 5.5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-WLCSP (1.47x1.47) Paket / Fall 6-SMD, No Lead |
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