C3M0065100J
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| Teilenummer | C3M0065100J |
| PNEDA Teilenummer | C3M0065100J |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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C3M0065100J Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | C3M0065100J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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C3M0065100J Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | C3M™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 113.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-7 |
| Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3160pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 240W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
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