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C2D05120E-TR

C2D05120E-TR

Nur als Referenz

Teilenummer C2D05120E-TR
PNEDA Teilenummer C2D05120E-TR
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 2.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

C2D05120E-TR Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerC2D05120E-TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
C2D05120E-TR, C2D05120E-TR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 393,17 KB)
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C2D05120E-TR Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieZero Recovery™
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)17.5A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8V @ 5A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.455pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

3pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

BYC30W-600PT2Q

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.75V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SIDC08D120F6X1SA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

7A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 7A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

27µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UF5404/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBRF735-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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