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BZD27B12P-HE3-08

BZD27B12P-HE3-08

Nur als Referenz

Teilenummer BZD27B12P-HE3-08
PNEDA Teilenummer BZD27B12P-HE3-08
Beschreibung DIODE ZENER 12V 0.8W DO-219AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BZD27B12P-HE3-08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBZD27B12P-HE3-08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterZenerdioden - Single
Datenblatt
BZD27B12P-HE3-08, BZD27B12P-HE3-08 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 134,3 KB)
PDFBZD27B9V1P-HE3-08 Datenblatt Cover
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BZD27B12P-HE3-08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, BZD27B
Spannung - Zener (Nom) (Vz)12V
Toleranz-
Leistung - max800mW
Impedanz (Max) (Zzt)7 Ohms
Strom - Umkehrleckage @ Vr3µA @ 9.1V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 200mA
Betriebstemperatur-65°C ~ 175°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AB
LieferantengerätepaketDO-219AB (SMF)

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Strom - Umkehrleckage @ Vr

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

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Betriebstemperatur

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

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Spannung - Zener (Nom) (Vz)

12V

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Leistung - max

200mW

Impedanz (Max) (Zzt)

23 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

900nA @ 8V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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Microsemi

Hersteller

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Serie

-

Spannung - Zener (Nom) (Vz)

68V

Toleranz

±20%

Leistung - max

5W

Impedanz (Max) (Zzt)

44 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 49V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

T-18

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Spannung - Zener (Nom) (Vz)

6.8V

Toleranz

±10%

Leistung - max

500mW

Impedanz (Max) (Zzt)

30 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 5.5V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200mA

Betriebstemperatur

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