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BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/I

Nur als Referenz

Teilenummer BYG10JHM3_A/I
PNEDA Teilenummer BYG10JHM3_A-I
Beschreibung DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BYG10JHM3_A/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYG10JHM3_A/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYG10JHM3_A/I, BYG10JHM3_A/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 100,2 KB)
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BYG10JHM3_A/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypAvalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 1.5A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

780ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

ES2BA R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SS2P3HE3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

2A03GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5623US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 12V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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