Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK98180-100A/CUX

BUK98180-100A/CUX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK98180-100A/CUX
PNEDA Teilenummer BUK98180-100A-CUX
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 556.098
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 9 - Mär 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK98180-100A/CUX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK98180-100A/CUX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK98180-100A/CUX, BUK98180-100A/CUX Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 711,85 KB)
PDFBUK98180-100A Datenblatt Cover
BUK98180-100A Datenblatt Seite 2 BUK98180-100A Datenblatt Seite 3 BUK98180-100A Datenblatt Seite 4 BUK98180-100A Datenblatt Seite 5 BUK98180-100A Datenblatt Seite 6 BUK98180-100A Datenblatt Seite 7 BUK98180-100A Datenblatt Seite 8 BUK98180-100A Datenblatt Seite 9 BUK98180-100A Datenblatt Seite 10 BUK98180-100A Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK98180-100A/CUX Datasheet
  • where to find BUK98180-100A/CUX
  • Nexperia

  • Nexperia BUK98180-100A/CUX
  • BUK98180-100A/CUX PDF Datasheet
  • BUK98180-100A/CUX Stock

  • BUK98180-100A/CUX Pinout
  • Datasheet BUK98180-100A/CUX
  • BUK98180-100A/CUX Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK98180-100A/CUX Price
  • BUK98180-100A/CUX Distributor

BUK98180-100A/CUX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs173mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds619pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)8W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-73
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8952pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRFH7187TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™, HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 105A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2116pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 132W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

CDM7-650 TR13

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Vgs (Max)

30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

754pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.12W (Ta), 140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF6618

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta), 170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5640pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MT

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MT

NTNS3A67PZT5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Kürzlich verkauft

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

AD7626BCPZ

AD7626BCPZ

Analog Devices

IC ADC 16BIT SAR 32LFCSP-WQ

SI8442BB-D-ISR

SI8442BB-D-ISR

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

843002AKI-40LFT

843002AKI-40LFT

IDT, Integrated Device Technology

IC SYNTHESIZER LVPECL 32-VFQFPN

MAX1044ESA+

MAX1044ESA+

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP INV 20MA 8SOIC

M29W200BB70N1

M29W200BB70N1

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

AT-32033-TR1G

AT-32033-TR1G

Broadcom

RF TRANS NPN 5.5V SOT23

MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

IRFP150N

IRFP150N

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

OD-850FHT

OD-850FHT

Opto Diode Corp

EMITTER IR 850NM 100MA TO-46

W25Q256JVCIQ

W25Q256JVCIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA