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BUK7Y153-100EX

BUK7Y153-100EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK7Y153-100EX
PNEDA Teilenummer BUK7Y153-100EX
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
Hersteller Nexperia
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BUK7Y153-100EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK7Y153-100EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK7Y153-100EX, BUK7Y153-100EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 736,12 KB)
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BUK7Y153-100EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs153mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.4nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds497pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)37.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

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AON7402L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.5A (Ta), 39A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 26W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

APT29F80J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

303nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9326pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

543W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

5LN01M-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6.6pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-MCP

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

IRFIBC40GLC

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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