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BUK7K89-100EX

BUK7K89-100EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK7K89-100EX
PNEDA Teilenummer BUK7K89-100EX
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.250
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK7K89-100EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK7K89-100EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BUK7K89-100EX, BUK7K89-100EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 716,9 KB)
PDFBUK7K89-100EX Datenblatt Cover
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BUK7K89-100EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs82.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds811pF @ 25V
Leistung - max38W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-1205, 8-LFPAK56
LieferantengerätepaketLFPAK56D

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Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

STS4DNF30L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7755TR

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

DMC2057UVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

FDC6301N_G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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