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BUK7214-75B,118

BUK7214-75B,118

Nur als Referenz

Teilenummer BUK7214-75B,118
PNEDA Teilenummer BUK7214-75B-118
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
Hersteller Nexperia
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BUK7214-75B Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK7214-75B,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK7214-75B, BUK7214-75B Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 731,59 KB)
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BUK7214-75B Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2612pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)158W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IRF7205PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5230pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

Paket / Fall

PLUS-220SMD

STP130N6F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IPD60R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD17NF03L-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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