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BUK6226-75C,118

BUK6226-75C,118

Nur als Referenz

Teilenummer BUK6226-75C,118
PNEDA Teilenummer BUK6226-75C-118
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 33A DPAK
Hersteller Nexperia
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BUK6226-75C Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK6226-75C,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK6226-75C, BUK6226-75C Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 765,43 KB)
PDFBUK6226-75C Datenblatt Cover
BUK6226-75C Datenblatt Seite 2 BUK6226-75C Datenblatt Seite 3 BUK6226-75C Datenblatt Seite 4 BUK6226-75C Datenblatt Seite 5 BUK6226-75C Datenblatt Seite 6 BUK6226-75C Datenblatt Seite 7 BUK6226-75C Datenblatt Seite 8 BUK6226-75C Datenblatt Seite 9 BUK6226-75C Datenblatt Seite 10 BUK6226-75C Datenblatt Seite 11

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BUK6226-75C Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)80W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

65V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDMS0312S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Ta), 42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2820pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 46W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

NTGS3136PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1901pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6

FQP4N20L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4667pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

194W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Kürzlich verkauft

ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

ZHCS400TA

ZHCS400TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 400MA SOD323

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

TLMY1000-GS08

TLMY1000-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED YELLOW 0603 SMD

HDSP-0770

HDSP-0770

Broadcom

DISPLAY 4X7 NUM RDP BCD HER

2N4416A

2N4416A

Central Semiconductor Corp

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

HDLO-3416

HDLO-3416

Broadcom

DISPLAY 5X7 0.27"" 4CHAR RED

A5984GLPTR-T

A5984GLPTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC MTR DRV BIPOLAR 8-40V 24TSSOP

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

SCMT22F505PRBA0

SCMT22F505PRBA0

CAPACITOR 5F 20% 5.5V THRU HOLE

LPS0800H1000JB

LPS0800H1000JB

Vishay Sfernice

RES CHAS MNT 100 OHM 5% 800W