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BSO200N03

BSO200N03

Nur als Referenz

Teilenummer BSO200N03
PNEDA Teilenummer BSO200N03
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSO200N03 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSO200N03
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSO200N03, BSO200N03 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 640,46 KB)
PDFBSO200N03 Datenblatt Cover
BSO200N03 Datenblatt Seite 2 BSO200N03 Datenblatt Seite 3 BSO200N03 Datenblatt Seite 4 BSO200N03 Datenblatt Seite 5 BSO200N03 Datenblatt Seite 6 BSO200N03 Datenblatt Seite 7 BSO200N03 Datenblatt Seite 8 BSO200N03 Datenblatt Seite 9

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BSO200N03 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1010pF @ 15V
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
LieferantengerätepaketPG-DSO-8

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20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

369pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

16V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V

Leistung - max

710mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Leistung - max

2.16W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

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