BSO200N03 Datenblatt
BSO200N03 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSO200N03
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 15V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 |
