BSN20BKR
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| Teilenummer | BSN20BKR |
| PNEDA Teilenummer | BSN20BKR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.094.214 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSN20BKR Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSN20BKR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BSN20BKR Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 265mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.49nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20.2pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 310mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 180mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 590pC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 400mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT23-3-5 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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