Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSN20BKR Datenblatt

BSN20BKR Datenblatt
Total Pages: 16
Größe: 733,42 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BSN20BKR
BSN20BKR Datenblatt Seite 1
BSN20BKR Datenblatt Seite 2
BSN20BKR Datenblatt Seite 3
BSN20BKR Datenblatt Seite 4
BSN20BKR Datenblatt Seite 5
BSN20BKR Datenblatt Seite 6
BSN20BKR Datenblatt Seite 7
BSN20BKR Datenblatt Seite 8
BSN20BKR Datenblatt Seite 9
BSN20BKR Datenblatt Seite 10
BSN20BKR Datenblatt Seite 11
BSN20BKR Datenblatt Seite 12
BSN20BKR Datenblatt Seite 13
BSN20BKR Datenblatt Seite 14
BSN20BKR Datenblatt Seite 15
BSN20BKR Datenblatt Seite 16
BSN20BKR

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

265mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.49nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20.2pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

310mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3