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BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

Nur als Referenz

Teilenummer BSM120D12P2C005
PNEDA Teilenummer BSM120D12P2C005
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $4.089,9692
50 ---------- $3.898,2518
100 ---------- $3.706,5345
200 ---------- $3.514,8172
400 ---------- $3.355,0528
500 ---------- $3.195,2884
Auf Lager 94
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BSM120D12P2C005 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM120D12P2C005
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSM120D12P2C005, BSM120D12P2C005 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 633,26 KB)
PDFBSM120D12P2C005 Datenblatt Cover
BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 2 BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 3 BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 4 BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 5 BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 6 BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 7 BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 8 BSM120D12P2C005 Datenblatt Seite 9

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BSM120D12P2C005 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14000pF @ 10V
Leistung - max780W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FDS8949

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

955pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DF11MR12W1M1B11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 800V

Leistung - max

20mW

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-EASY1BM-2

HAT2210RWS-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta), 8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V, 1330pF @ 10V

Leistung - max

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

FDS6984S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1233pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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