BSM120D12P2C005
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM120D12P2C005 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BSM120D12P2C005 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 94 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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BSM120D12P2C005 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM120D12P2C005 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
BSM120D12P2C005, BSM120D12P2C005 Datenblatt
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BSM120D12P2C005 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Leistung - max | 780W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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