MP6K31TCR
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| Teilenummer | MP6K31TCR |
| PNEDA Teilenummer | MP6K31TCR |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.294 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MP6K31TCR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MP6K31TCR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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MP6K31TCR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | MPT6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A, 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 166pF @ 40V Leistung - max 1.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 90.4mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 25V Leistung - max 3.15W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SO |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.42V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
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